日本電信電話株式会社は、現在発光ダイオード（LED）などに広く使用されている窒化ガリウム（以下GaN）系半導体薄膜素子を成長用サファイア基板から簡単に剥離するプロセスの開発に成功したと発表した。 今回の技術を用いることにより、2μm（0.002mm）厚とい…